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Power Device

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친환경 분야에 많은 관심을 가지면서 국내에서도 전기자동차의 개발 및 상용화는 관련업계의 핵심 화두입니다. 또한 이에 따른 고전력용 반도체 부품의 필요성이 점차적으로 중요성이 대두되고 있습니다. 국방용 전략물자의 핵심 GaN소자 또한 중요한 Power device 입니다.

기가레인은 Power device 생산에 적합한 ICP etcher를 다년간 업계에 제공하고 있습니다. Si 기판에 대한 Power device 생산 뿐만 아니라, SiC 기판을 이용한 Trench공정, Back VIA 등의 뛰어난 공정성능을 자랑하고 있습니다.

Related Products

ICP Etcher
  • - 2inch-8inch Shpphire, Si, SiC, GaAs, LN/LT Substrate
  • - PSS, GaN, 5iC, GaAs, Polymide, Metal, Dielectric films, Etc.
  • - Tray Type(Conventional/Face Down)
  • - Standalone (ESC, In-line Asher Optical)
Performance
  • - PSS Lens : Symmetric Pyramidal Shape, (Height,Width) ±0.05㎛
  • - Face-down Chamber (MAXIS800L) : Particle free, High throughput
  • - Throughput (MAXIS300L/MAXIS800L) : Tray Type (2,4,6,8inch)
  • - Dual Chiller and Dual Gas Flow (MAXIS800L)
  • - Standalone_4,6,8inch,ESC/Mechanical Clamp available (MAXIS200L)
  • - In-line VDS Asher for Metal Etcher (NeoGEN MAXIS200L_RADIION200)
  • - ESC for Piezoelectric Substrate of SAW filter
  • - SIC Trench or TSV etching
Applied Device and Process Capability

  • 이미지출처: New Electronics GaN Power Device 국방용 핵심 Power device로 고전력에 대한 handling 이 가능함

  • 이미지출처: New Electronics SiC Power Device 1,000V 이상의 고전압에 견딜수 있는 SiC 소재를 Back VIA, Trench등 자유자재로 가공할 수 있는 공정성능 보유

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