ICP는 가장 많이 사용되는 PLASMA SOURCE로 PLASMA DENSITY가 높고 PROCESS MARGIN이 넓어 폭넓게 사용되어 온 Etching기술 입니다.
기가레인은 우수한 ICP 기술을 바탕으로 실리콘 및 화합물 반도체를 비롯한 다양한 영역의 etching 능력을 보유하고 있습니다.
Features
- Plasma 안정성에 특화된 Dual ICP Source(13.56MHz)
안정된 plasma의 형성으로 균일성과 재현성이 확보된 공정결과를 제공한다.
- Wafer 사이즈, 재질에 따른 다양한 chuck 제공
고저항 ESC, 저저항 ESC, 단극 ESC, 양극 ESC, Mecanical chuck
- 특화된 기능 제공
다양한 재질, 제품에 맞는 모양을 식각하기 위한 Recipe tuning 인자들의 Ramping(Up, Down)기능이 가능하다.
탁월한 선택비와 제품에 알맞은 모양을 식각하기위한 강력한 Pulsing 기능을 제공한다.
연구, 시 양산시 시간을 절약하기위한 공정 예약기능을 제공한다. - VDS와 Remote Plasma를 사용한 Ashing chamber와 조합구성이 가능
Metal 공정 후에 부식 방지를 위한 H2O Vapor기능이 가능하고, Photo Resist의 제거공정이 가능하다.
다양한 Flatform 제공
- Neos-MAXIS200L
- NeoGEN-MAXIS200L
- NeoGENII-MAXIS200L
- Neos-MAXIS200H
- NeoGEN-MAXIS200H
- NeoGENII-MAXIS200H
- Neos-MAXIS300H
- NeoGENIII-MAXIS300H
- NeoGENIII-MAXIS300T
Process Data by Materials
| Quartz |  |
|---|---|
| Aluminum |  |
| GaAs |  |
| SiC |  |
| GaN |  |
| AlGaInP |  |
| InP |  |
