Features
- CCP Type의 장비로 안정적인 장비운용 가능
CCP Type Plama Source로 입자간에 큰 에너지 보유(단단한 물질 식각에 유리)
낮은 유지보수 비용 및 안정성, 양산성 우수 - 공정 Gas의 Center와 Edge의 Ratio조절이 가능하다.
FRC(Flow ratio controller)를 적용하여 Mix된 공정가스의 Center와 Edge간의 비율을 조절하여 균일성 확보에 유리하다.
- Dual He 구조
Center와 Edge의 Back He을 따로 control 할 수 있어 균일성 확보에 유리하다.
- 특화된 기능 제공
High aspect ratio의 구조를 만들기 위하여 Recipe tuning 인자들의 Ramping(Up, Down)기능이 가능하다.
탁월한 선택비와 제품에 알맞은 모양을 식각하기위한 강력한 Pulsing 기능을 제공한다.
연구, 시양산시 시간을 절약하기위한 공정 예약기능을 제공한다.
다양한 Flatform 제공
- NeoS-ADF200
- NeoGEN-ADF200
- NeoGENII-ADF200
Process Data
| Oxide |  |
|---|---|
| ACL |  |
