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SEMICONDUCTOR
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DRIE ETCHER

TSV 기술은 반도체를 MULTI STACK하거나 여러가지 반도체를 한 CHIP화(SIC)하는 필수 공정이며 최근에는 MEMS(감각) 소자를 추가하여 AI(인공지능), 자율주행등의 4차산업의 핵심 기술로 자리매김하고 있습니다.

기가레인은 2007년 8” DRIE, 2017년에 12” DRIE ETCHER를 개발하여 Si MEMS, TSV, Si THINNING 공정에 적용되어 왔으며
빠른 에칭속도와 높은 균일성 그리고 원하는 PROFILE을 쉽게 얻을 수 있는 장점이 있습니다.
Features
Customize

DRIE ETCHER는 제품에 맞게 공정 CHAMBER의 CUSTOMIZE 하였습니다.

* 좌측 스크롤 하세요. 표 전체보기

PLASMA CHAMBER 적용공정 BACKBONE CHAMBER수 PROESS ESC 비고
MAXIS200 TSV CTCH
DTI ETCH
SIE ETCH
NeoGENⅡ
NeoGEN
NeoS
3
1
1
CYCLE OR
NON-CYCLE
DUAL TEMP METALIC
CONTAMINAT
ION FREE
MAXIS300 TSV CTCH
DTI
Sic ETCH
NeoGENⅢ 3 CYCLE OR
NON-CYCLE
DUAL TEMP METALIC
CONTAMINAT
ION FREE
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