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DRIE ETCHER

DRIE은 4차산업시대에 필요한 다양한 Sensor, Device 및 Advanced Package를 만드는데 필요한 핵심 Etching 장치이며 높은 Etching속도와 균일한 Etching 특성을 가지고 있어야 합니다.

기가레인은 2007년 8” DRIE, 2017년에 12” DRIE ETCHER를 개발하여 Si MEMS, TSV, Si Thinning 공정에 적용되어 왔으며 빠른 Etching속도와 높은 Etching 균일성 그리고 원하는 Profile을 쉽게 얻을 수 있는 장점이 있습니다.
Features
Customize

DRIE ETCHER는 제품에 맞게 공정 CHAMBER의 CUSTOMIZE 하였습니다.

* 좌측 스크롤 하세요. 표 전체보기

PLASMA CHAMBER 적용공정 BACKBONE CHAMBER수 PROESS ESC 비고
MAXIS200 TSV CTCH
DTI ETCH
SIE ETCH
NeoGENⅡ
NeoGEN
NeoS
3
1
1
CYCLE OR
NON-CYCLE
DUAL TEMP METALIC
CONTAMINAT
ION FREE
MAXIS300 TSV CTCH
DTI
Sic ETCH
NeoGENⅢ 3 CYCLE OR
NON-CYCLE
DUAL TEMP METALIC
CONTAMINAT
ION FREE
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