TSV技术是将半导体进行 MULTI STACK或将多种半导体进行CHIP化(SIC)的必需工艺，最近添加了MEMS(敏感)元件，成为AI(人工智能）、自动驾驶等第四产业的核心技术。
Gigalane的DRIE Etcher用于MEMS、TSV、Si thinning等多种Si etching工程，具有快速的蚀刻速度、优秀的蚀刻选择性和均匀性。
Features
- High density Plasma用 Dual ICP Source（13.56MHz）
形成高密度的等离子体，提供稳定的均匀性
- 确保统一性的Exhaust vessel ring结构
Exhaust vessel ring是一种特殊的结构，可以改变为etch open ratio带来的变化，使其均匀性变得更好。
- 使用Fast Response MFC
采用最适合Cycle Process的MEMS结构的MFC，可实现更短更快的Cycle，有效获得smooth sidewall。
- 提供特殊功能
为了蚀刻多种结构，可以实现Recipe tuning因子的Ramping（Up，Down）功能。
为了卓越的选择费和刻蚀适合产品的形状而提供强大的Pulsing功能。
研究、批量生产时，为节省时间，提供工程预约功能。
提供多种Flatform
- Neos-MAXIS200D
- NeoGEN-MAXIS200D
- NeoGENII-MAXIS200D
- NeoGENIII-MAXIS300D
Process Data
| Cycle process |  |
|---|---|
| Non-Cycle process |  |
